采用半极化Micro LED,全彩化量子点转换技术获突破

By | 2020年7月25日

  Micro LED被视为庖代TFT-LCD及OLED display的次世代显示器技巧。建设正在LED高效力的根底上,理想的Micro
LED显示用具有高像素、高比照、自发光、低能耗及寿命长等各类劣势,备受看好。

  但是,以后的Micro LED仍面对许多艰难需求克服,此中最困扰钻研职员与制作商的即是巨量转移制程(Mass transfer
process),若何将红、蓝、绿三种颜色的LED芯片疾速且准确地接合至面板的驱动电路上,和克服芯片资料特点没有同的应战,特地是红光Micro-LED另有易碎等成绩,因而巨量转移技巧至今仍不能达到量产的处理计划被提出。

  台湾交通年夜学的郭浩中传授等人,与美国新创公司Saphlux、耶鲁年夜学、厦门年夜学的钻研职员协作,采纳半极化(Semipolar)的Micro
LED连系量子点荧光粉光阻(Quantum dot photoresist)的技巧,制造出高色稳固的全彩Micro
LED阵列,相干钻研效果已被Photonics Research期刊承受,并行将宣布。

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图片起源: Chen et al. 2020

  钻研团队掌管人郭浩中示意,为了缩小巨量转移的次数,该团队长时间专一正在量子点荧光粉色转换技巧的使用,只要要一种颜色的LED芯片(蓝光或近紫外光)搭配没有同颜色的量子点荧光粉,便可完成全彩的性能,且量子点荧光粉的演色性相称突出。

  郭浩中也提到,除了了巨量转移制程的应战,LED芯片自身也面对很多成绩。譬如蓝绿光LED芯片会跟着操作电流扭转,孕育发生发光颜色变动的景象,象征着显示器为了合营环境光源扭转亮度时,就有可能孕育发生颜色变动,无益于显示器的应用,因而必需处理LED芯片色偏偏移的成绩。

  该团队采纳半极化磊晶技巧制造LED芯片,藉由半极化资料的特点,年夜幅缩小LED光源自身的发光波长偏偏移(Wavelength-shift)景象,进而克服色偏偏移的成绩;正在这个钻研中的第二个打破就是采纳量子点荧光粉光阻技巧,该技巧透过非凡的办法,将量子点荧光粉与光阻液夹杂,搭配传统的微影制程,达到年夜面积制造黑白像素需要,庖代辨别转移红、蓝、绿的LED芯片的办法,年夜幅升高转移制程的艰难度。

  最初,连系上述两种技巧,钻研团队胜利完成了高色稳固的全彩Micro LED阵列,同时具备年夜面积制作的可能性,为Micro
LED显示器技巧的倒退注入一股新血。

编纂:严志祥

起源:LEDinside编译